发明名称 |
奈米微影方法与微影装置及该方法制造之电子放射二极体 |
摘要 |
一种奈米微影方法,于第一导电基板上沉积一介电层、一金属层与一第一阻剂层,再以电子束或极紫外光感应第一阻剂层而构成图样区,并将图样区及图样区正下方的金属层与介电层蚀刻掉,且于第一导电基板顶面外露区域成长直立奈米线,再将第一阻剂层移除而构成奈米线图罩,并于第一导电基板与金属层间施加一脉冲电压,使该等奈米线发射电子,而使与奈米线图罩相间隔之第二导电基板上的第二阻剂层形成电子感应,而完成图样之转移。透过图罩之奈米线被驱动而发射电子感应第二阻剂层的方式,可快速且等比例地将图样转移至另一导电基板上。 |
申请公布号 |
TW200837502 |
申请公布日期 |
2008.09.16 |
申请号 |
TW096107521 |
申请日期 |
2007.03.05 |
申请人 |
国立成功大学 |
发明人 |
彭洞清;方嘉锋 |
分类号 |
G03F7/20(2006.01);H05B33/24(2006.01);H01L33/00(2006.01) |
主分类号 |
G03F7/20(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
主权项 |
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地址 |
台南市东区大学路1号 |