发明名称 | 液晶显示器之半导体结构及其制作方法 | ||
摘要 | 一种半导体结构的制作方法,其先在基板上的主动元件区与储存电容区形成半导体层。形成第一层间介电层以覆盖半导体层。分别在主动元件区与储存电容区上方的第一层间介电层上形成闸极与第一电极。在闸极下方之第一层间介电层系作为闸极介电层。进行掺杂制程以于主动元件区的半导体层中形成源极与汲极。形成第二层间介电层覆盖闸极与第一电极,且于其上形成作为画素电极的图案化导电层。形成图案化的第三层间介电层覆盖图案化导电层,且在第一、第二与第三层间介电层中形成多个接触窗以暴露出源极、汲极、部分图案化导电层与第一电极。于第三层间介电层上形成第二电极电性连接第一电极,与源极/汲极导线电性连接半导体层与图案化导电层。 | ||
申请公布号 | TW200837958 | 申请公布日期 | 2008.09.16 |
申请号 | TW096108926 | 申请日期 | 2007.03.15 |
申请人 | 友达光电股份有限公司 | 发明人 | 陈昱丞;邱大维 |
分类号 | H01L29/786(2006.01) | 主分类号 | H01L29/786(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |