具用于保护可接合金属接触及改良模造化合物接着性之涂覆的铜金属化积体电路

摘要

本发明揭示一种半导体装置，其具有由一第一(102)及一第二(120)涂覆层(均质二氧化矽)所保护之铜互连金属化(111)，该金属化之部分曝露于一穿过该第一涂覆层及第二涂覆层之厚度而敞开之窗(103)中。一已图案化导电阻障层(130)系定位在该铜金属化之已曝露部分，及在围绕该窗之第二涂覆层之部分。一可接合金属层(150)系定位在该阻障层；此可接合层之厚度系适宜线接合。由一均质氮化矽化合物组成的一第三涂覆层(160)系定位在该第二涂覆层，使该第三涂覆层之突出物(162，超过50 nm高)叠层于该可接合金属层之边缘(150b)。所得之已顺形晶片表面改良对塑胶装置囊封物之接着性。