| 摘要 |
本发明是提供一种磊晶晶圆的制造方法，具备以下的步骤：在第１导电型的矽基板的表面上，形成具有沟渠形成图案的氧化膜之步骤；以上述氧化膜作为罩幕，来形成沟渠之步骤；在上述沟渠内，藉由选择性磊晶成长法来形成第２导电型区域之步骤；藉由旋转蚀刻，蚀刻在上述磊晶成长时于上述沟渠的开口部所生成之矽隆起部分而平坦化之步骤；除去上述氧化膜之步骤；及对除去上述氧化膜后之上述矽基板的已形成有并列pn接合之主表面，进行研磨来加以平坦化之步骤。藉此能够提供一种制造方法，能够均匀地除去在形成pn接合结构时所生成之矽隆起部分，并对矽基板表面高精确度且高效率地进行最后研磨步骤，能够以优良生产性，制造出高品质的并列pn接合结构磊晶晶圆。 |
