发明名称 防止晶片背崩之晶圆切割制程
摘要 揭示一种防止晶片背崩之晶圆切割制程,首先提供一晶圆,于其积体电路形成表面具有复数个切割道与复数个晶片电极。接着,贴附一晶圆切割胶带于该晶圆之背面。之后,形成一晶圆切割网于该晶圆之积体电路形成表面,该晶圆切割网系具有复数个一体连接之网线,其系沿着该些切割道黏接该晶圆,以不遮盖该些晶片电极。最后,从该晶圆之积体电路形成表面并沿着该些切割道切割该晶圆,以使该些晶片为单体化且黏着于该晶圆切割胶带。藉由该晶圆切割网分散切割所产生之应力,以解决在晶圆切割时所引发之晶片背崩之问题并降低晶圆翘曲度。
申请公布号 TW200837821 申请公布日期 2008.09.16
申请号 TW096107942 申请日期 2007.03.07
申请人 力成科技股份有限公司 发明人 吴智伟;徐宏欣
分类号 H01L21/304(2006.01) 主分类号 H01L21/304(2006.01)
代理机构 代理人 许庆祥
主权项
地址 新竹县湖口乡新竹工业区大同路26号
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