发明名称 薄膜电晶体
摘要 一种薄膜电晶体,其包括一基板、一闸极、一闸绝缘层、一半导体层、一欧姆接触层以及一源极与一汲极。其中,闸极配置于基板上,而闸绝缘层配置于基板上,并覆盖闸极。半导体层配置于闸绝缘层上,且位于闸极上方。半导体层包括一未掺杂非晶矽层与一第一未掺杂微晶矽层,其中第一未掺杂微晶矽层则配置于未掺杂非晶矽层上。另外,欧姆接触层配置于部分半导体层上,而源极与汲极则配置于欧姆接触层上。因此,此薄膜电晶体具有较佳的品质控制及电性特性。
申请公布号 TW200837956 申请公布日期 2008.09.16
申请号 TW096108695 申请日期 2007.03.14
申请人 中华映管股份有限公司 发明人 赖钦诠;吴泉毅;蔡依芸
分类号 H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 台北市中山区中山北路3段22号