发明名称 |
成像转移闸极装置中之矽化物带 |
摘要 |
本发明揭示一种具有双功函数转移闸极装置之CMOS主动像素感测器(APS)单元结构及制造方法。该转移闸极装置包含一在基板上形成的介电层;及一在该介电层上形成的双功函数闸极导体层,该双功函数闸极导体层包含一第一导电率类型掺杂区及一对接的第二导电率类型掺杂区。该转移闸极装置定义一通道区,其中由一光感测装置累积的电荷被转移至一扩散区。一矽化物结构系形于该双功函数闸极导体层顶部,用于电耦合该等第一及第二导电率类型掺杂区。在一具体实施例中,该矽化物接点之面积尺寸系小于该双功函数闸极导体层之一面积尺寸。矽化物带之存在防止二极体行为允许闸极之一或另一侧浮动至一不确定电压。 |
申请公布号 |
TW200837941 |
申请公布日期 |
2008.09.16 |
申请号 |
TW096145709 |
申请日期 |
2007.11.30 |
申请人 |
柯达公司;万国商业机器公司 |
发明人 |
詹姆斯W 艾德基森;约翰J 埃里斯蒙那甘;罗柏特M 盖达希;马克D 杰夫;爱德华T 尼尔森;理察J 瑞索;查尔斯V 史丹肯皮诺 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01);H01L31/18(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
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地址 |
美国 |