镶嵌相变化随机存取记忆体及其制造方法

摘要

本发明系有关于一种利用镶嵌制程而定义记忆元件之制造记忆装置的方法。此装置包括一第一电极其具有一上侧，一第二电极其具有一上侧，以及一绝缘构件位于第一电极与第二电极之间。绝缘构件在第一与第二电极之间、接近第一电极之上侧与第二电极的上侧处具有一厚度。一镶嵌块横跨了绝缘构件，绝缘构件系对准至第一与第二电极，镶嵌块并定义一电极间路径于第一与第二电极之间、横跨绝缘构件处。本发明也提供了此等记忆胞的阵列。