| 发明名称 |
藉由使用氮化铝来增加微结构中之铜基金属化结构之信赖性 |
| 摘要 |
本发明系揭露一种藉由使用氮化铝来增加微结构中之铜基金属化结构之信赖性的方法及相关半导体装置。藉由以自限制程顺序来形成氮化铝层，可显着增强铜基金属化层的界面特性同时仍然保持层堆叠(layer stack)的总介电系数(permitivity)于较低位准。 |
| 申请公布号 |
TW200837882 |
申请公布日期 |
2008.09.16 |
| 申请号 |
TW097103408 |
申请日期 |
2008.01.30 |
| 申请人 |
高级微装置公司 |
发明人 |
史瑞克 克里斯多夫;克希尔特 沃克 |
| 分类号 |
H01L21/768(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L21/321(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄;陈昭诚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
