高速光检二极体之制造方法

摘要

一种高速光检二极体之制造方法，主要系包括下列步骤：一、设置介电层：于N型半导体层中心区掺杂形成之P型半导体层的区域外缘设置介电层；二、设置金属电极：于介电层上的外缘处结合二金属电极，令二金属电极一端与P型半导体层接触；三、钝化：以笑气(N#sB!2#eB!O)钝化P型半导体层，以消除因蚀刻所造成之晶格缺陷；以及四、设置抗反射层：于金属电极与P型半导体层表面设置抗反射层；藉上述精简之步骤，即可使高速光检二极体达到低电容及减少漏电流者。