发明名称 相变化记忆体之写入方法与系统
摘要 本发明提供一种相变化记忆体之写入方法,包括:对一相变化记忆体提供一第一写入脉波信号,使该相变化记忆体的温度大于一第一温度;以及对该相变化记忆体提功一第二写入脉波信号,使该相变化记忆体的温度大体上维持在一第二温度。
申请公布号 TW200837758 申请公布日期 2008.09.16
申请号 TW096108008 申请日期 2007.03.08
申请人 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 发明人 陈明忠;赵得胜;颜辰蒲
分类号 G11C13/00(2006.01) 主分类号 G11C13/00(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区研新三路4号