发明名称 薄膜电晶体基底的制造方法
摘要 一种藉由三道光罩制程以及一道雷射烧蚀制程而完成薄膜电晶体阵列。相较于传统薄膜电晶体阵列制程中使用四至五道光罩制程而言,本发明可以增加产能且降低制造成本。
申请公布号 TW200837840 申请公布日期 2008.09.16
申请号 TW096108579 申请日期 2007.03.13
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 石志鸿
分类号 H01L21/336(2006.01);H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L21/336(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号