发明名称 | 半导体制程设备之蚀刻装置与其蚀刻液回收方法 | ||
摘要 | 一种半导体制程设备之蚀刻装置与蚀刻液回收方法。上述之蚀刻液回收方法适用于制程设备,制程设备提供蚀刻液以在晶圆上进行蚀刻程序。在完成蚀刻程序后,加入水溶液至蚀刻液中以维持蚀刻液之水含量。然后,回收混合后之蚀刻液。 | ||
申请公布号 | TW200837826 | 申请公布日期 | 2008.09.16 |
申请号 | TW096108231 | 申请日期 | 2007.03.09 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈神龙;陈颖峰;陈怡尧;朱国彰;吴国强 |
分类号 | H01L21/306(2006.01);C23F1/46(2006.01) | 主分类号 | H01L21/306(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |