发明名称 半导体制程设备之蚀刻装置与其蚀刻液回收方法
摘要 一种半导体制程设备之蚀刻装置与蚀刻液回收方法。上述之蚀刻液回收方法适用于制程设备,制程设备提供蚀刻液以在晶圆上进行蚀刻程序。在完成蚀刻程序后,加入水溶液至蚀刻液中以维持蚀刻液之水含量。然后,回收混合后之蚀刻液。
申请公布号 TW200837826 申请公布日期 2008.09.16
申请号 TW096108231 申请日期 2007.03.09
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 陈神龙;陈颖峰;陈怡尧;朱国彰;吴国强
分类号 H01L21/306(2006.01);C23F1/46(2006.01) 主分类号 H01L21/306(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号