发明名称 发光二极体之突出电极形成方法
摘要 揭示一种发光二极体之突出电极形成方法。首先,提供一发光二极体基材。接着,一介电层系形成于该发光二极体基材之一磊晶层上,再图案化蚀刻该介电层,以形成复数个电极开孔。一欧姆接触层系沉积形成于该介电层上及该些电极开孔内。在该欧姆接触层上形成一光阻层,并使该光阻层形成复数个电镀开孔,其系对准于该些电极开孔。因此,能以电镀方式形成复数个突出电极于该些电镀开孔内,并可降低元件损坏的可能性。最后,可移除该光阻层并蚀刻部份之欧姆接触层,以使该介电层为显露。
申请公布号 TW200837993 申请公布日期 2008.09.16
申请号 TW096108840 申请日期 2007.03.14
申请人 李柏坚;魏明国 发明人 李柏坚;魏明国
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 代理人 许庆祥
主权项
地址 桃园县龟山乡永安街52号3楼