| 摘要 |
本发明提供一种形成一具有一主动区域(2)及一环绕该主动区域之终止区域(3)的半导体装置之方法，其包含提供一半导体基板(4)、在该半导体基板上方提供一具有一第一导电性类型之半导体层(6)及在该半导体层上方形成一遮罩层(52)。该遮罩层(52)确定该半导体层之一表面的至少两个部分(54、56)之轮廓：一第一确定轮廓部分(54)在该主动区域(2)中确定一漂移区(8)之轮廓且一第二确定轮廓部分(56)在该终止区域(3)中确定一终止区(12)之轮廓。提供具有一第二导电性类型之半导体材料至该第一确定轮廓部分(54)及该第二确定轮廓部分(56)，以提供一埋入于该半导体装置之该主动区域(2)中之该半导体层(6)中之具有该第二导电性类型的漂移区(8)及一埋入于该半导体装置之该终止区域(3)中之该半导体层(6)中之具有该第二导电性类型的第一终止区(12)。 |
