快闪记忆体元件的制作方法

摘要

一种快闪记忆体元件的制作方法，包含有提供一基底，其上设有至少一闸极结构，其包含有一控制闸极；于该基底上及该闸极结构上形成一衬垫层；于该衬垫层上形成一矽层；于该矽层上形成一牺牲层；蚀刻该牺牲层，直到暴露出部分的该矽层；去除未被该牺牲层覆盖的该矽层；暴露出部分的该衬垫层；去除该牺牲层；于该基底上形成一侧壁子层，覆盖在该矽层及该衬垫层上；蚀刻该侧壁子层，于该闸极结构的侧壁上形成一侧壁子；以及蚀刻掉未被该侧壁子覆盖的该矽层，以于该闸极结构的侧壁上形成一浮动闸极。