| 主权项 |
1.一种半导体晶圆之树脂涂覆方法,其具有半导体晶圆供应步骤,将装设有突起(3)之半导体晶圆(4)以其突起装设面朝上的状态供应并载置于设置在模具面呈互相相对地配置之树脂涂覆用模具(1,2)中的一个之模具面上的凹槽(5)底面之预定位置上;和树脂材料供给步骤,将所需要量之树脂材料(6)供给至前述凹槽(5)内;和薄膜张设步骤,将突起露出用的薄膜(7)张设于前述模具(1,2)中之另一个模具面;和模具闭模步骤,将前述模具(1,2)予以闭合;和树脂材料溶融步骤,在前述凹槽(5)内加热前述树脂材料(6)使之溶融;和按压步骤,以设置在前述模具(1,2)中之之另一个模具面的按压元件(8),将前述薄膜(7)朝前述凹槽(5)底面的方向按压;和薄膜接合步骤,于前述按压步骤时在前述凹槽(5)内使前述薄膜(7)接合至前述突起(3)的前端部;以及树脂涂覆步骤,系于前述按压步骤时以透过前述薄膜(7)对前述凹槽(5)内之树脂加压的方式,将前述半导体晶圆(4)之突起装设面涂覆以树脂。2.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之树脂涂覆方法,其中前述凹槽(5)系设置于下模具(2)侧之模具面,而前述按压元件(8)则设置于上模具(1)侧。3.如申请专利范围第2项之半导体晶圆之树脂涂覆方法,其中前述薄膜张设步骤系将前述薄膜(7)张设于前述上模具(1)侧的模具面。4.如申请专利范围第1项或第2项之半导体晶圆之树脂涂覆方法,其中前述树脂涂覆步骤系至少将前述凹槽(5)内处理成预定的真空状态而进行。5.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之树脂涂覆方法,在前述薄膜张设步骤中,前述薄膜系被吸附固定于前述模具之前述另一个模具面。6.如申请专利范围第5项之半导体晶圆之树脂涂复方法,在前述薄膜张设步骤中,前述薄膜系被吸附固定于前述上模具(1)之模具面。7.如申请专利范围第5项或第6项之半导体晶圆之树脂涂覆方法,其中前述半导体晶圆之供应步骤包含将前述半导体晶圆(4)吸附固定于前述凹槽(5)之底面的步骤。8.如申请专利范围第5项或第6项之半导体晶圆之树脂涂覆方法,其中前述模具闭模步骤系于至少将前述凹槽(5)抽真空使成预定的真空状态下进行。9.一种半导体晶圆之树脂涂覆用模具,用以将装设有突起之半导体晶圆的突起装设面涂覆以树脂,其具有模具面互相成相对方向配置之固定模具(1)以及可动模具(2);和设置于前述固定模具(1)和可动模具(2)之互相相对之前述模具面中的一个之凹槽(5);用以将前述薄膜(7)朝前述凹槽(5)的底面方向按压之设置于前述另一个模具面之按压元件(8)。10.如申请专利范围第9项之树脂涂覆用模具,其进一步具有调整装置,用以将被载置于前述凹槽(5)底面的半导体晶圆(4)之突起装设面和前述按压元件(8)之按压面调整成大致平行。11.如申请专利范围第9项之树脂涂覆用模具,其进一步具有将前述薄膜(7)吸附固定于设有前述按压元件(8)之前述模具的模具面侧之装置。12.如申请专利范围第11项之树脂涂覆用模具,其进一步具将前述半导体晶圆(4)吸附固定于前述凹槽(5)之底面的装置。13.如申请专利范围第9项之树脂涂覆用模具,其进一步具有至少将前述凹槽(5)内部抽真空以形成预定的真空状态之装置。图式简单说明:第一图A、第一图B系概略地示意有关本发明之第1实施例的半导体晶圆之树脂涂覆模具的纵断面图,其中,第一图A所示为模具之开模状态,而第一图B所示则为模具之闭模状态。第二图A、第二图B系概略地示意有关本发明之第1实施例的半导体晶圆之树脂涂覆模具的纵断面图,其中,第二图A所示为将薄膜接合至半导体晶圆之突起前端部的状态,而第二图B所示则为将模具予以开模而使树脂涂覆晶圆脱模的状态。第三图A系概略示意放大第一图B所示之模具的重要部位之放大纵断面图;第三图B则为概略示意放大第二图A所示之模具的重要部位之放大纵断面图。第四图A、第四图B系概略地示意有关本发明之第2实施例的半导体晶圆之树脂涂覆模具的纵断面图,其中,第四图A所示为半导体晶圆与薄膜之供应状态,而第四图B所示则为将薄膜吸附于上模具面的状态。第五图A、第五图B系概略地示意有关本发明之第2实施例的半导体晶圆之树脂涂覆模具的纵断面图,其中,第五图A所示为树脂材料的供给状态,而第五图B所示则为自形成于模具上之外部气体遮断区域抽真空的状态。第六图A、第六图B系概略地示意有关本发明之第2实施例的半导体晶圆之树脂涂覆模具的纵断面图,其中,第六图A所示为将薄膜接合至半导体晶圆之突起前端部的状态,而第六图B所示则为将模具予以开模而使树脂涂覆晶圆脱模的状态。第七图A系概略地示意树脂涂覆晶圆之一部分缺口的侧视图;第七图B为第七图A所示之树脂涂覆晶圆的概略底面图;第七图C则概略地示意将树脂涂覆晶圆予以切断分离所形成之树脂涂覆晶片的纵面图。第八图A、第八图B为概略地示意习知之树脂涂覆模具的纵断面图。 |
