Belichtingssysteem, testmasker voor flitstesten, werkwijze voor het evalueren van een lithografisch proces, werkwijze voor het evalueren van belichtingstoestellen, werkwijze voor het genereren van een gecorrigeerd maskerpatroon en werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderapparaat.

摘要

An exposure system has an exposure tool configured to project images of a grating pattern and a test pattern having an opening onto an identical exposure field on a wafer, a measuring module configured to measure critical dimension variations of the projected grating pattern by setting a position of the projected test pattern as a measurement standard, and a pattern density influence estimator configured to estimate an influence of a pattern density of a mask to be mounted in the exposure tool upon the critical dimension variations.