发明名称 Elemento de memória
摘要 "ELEMENTO DE MEMóRIA". Um elemento de memóriacompreendendo um volume de material de memória de mudançade fase (250); e primeiro e segundo contatos para fornecer um sinalelétrico ao material de memória (250), no qual o primeiro contatocompreende um espaçadores de parede lateral condutivo(130A,B). Alternativamente, o primeiro contato pode compreenderuma camada de contato tendo uma borda adjacente ao material dememória (250).
申请公布号 BR0009308(A) 申请公布日期 2001.12.18
申请号 BR20000009308 申请日期 2000.03.22
申请人 ENERGY CONVERSION DEVICES, INC. 发明人 TYLER LOWREY;STANFORD R. OVSHINSKY;GUY C. WICKER;PATRICK J. KLERSY;BOIL PASHMAKOV;WOLODYMYR CZUBATYJ;SERGEY KOSTYLEV
分类号 H01L21/8238;G11C11/56;H01L27/092;H01L27/10;H01L27/105;H01L27/24;H01L45/00;(IPC1-7):H01L47/00 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人
主权项
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