| 主权项 |
1.一种多层结构,含有铜层、阻挡层、AlCu层及护垫限制层,其中将AlCu层及阻挡层放置在铜层与护垫限制层之间,及其中将阻挡层放置在铜层与AlCu层之间。2.根据申请专利范围第1项之多层结构,其中铜层为约0.3至约2微米之厚度。3.根据申请专利范围第1项之多层结构,其中AlCu层包括约96至约99.5原子%之Al。4.根据申请专利范围第1项之多层结构,其中AlCu层为约0.5至约1.2微米之厚度。5.根据申请专利范围第1项之多层结构,其中阻挡层系选自由钛、钽、其氮化物、其混合物、其组合物及其合金等组成的各物。6.根据申请专利范围第1项之多层结构,其中阻挡层为约50至约1000埃之厚度。7.根据申请专利范围第1项之多层结构,其中阻挡层是TaN层、Ti层与TiN层之组合。8.根据申请专利范围第7项之多层结构,其中TiN层为约200至约700埃之厚度,Ti层为约200至约700埃之厚度,及TaN层为约50至约1000埃之厚度。9.一种内部连结结构,包含铜层、位于铜层上及具有以开口曝露部份铜层之封闭层、位于开口中及在铜层上之阻挡层、位于开口中及在阻挡层上之AlCu层、及位于AlCu层上之护垫限制层。10.根据申请专利范围第9项之内部连结结构,其进一步包含与护垫限制层接触之C4接点隆起。11.根据申请专利范围第9项之内部连结结构,其进一步包含位于隔离层之上及具有与在隔离层中的开口一致之开口之钝化层。12.根据申请专利范围第11项之内部连结结构,其中AlCu层在钝化层上延伸,并与其重叠。13.根据申请专利范围第12项之内部连结结构,其中阻挡层在钝化层上延伸,并与其重叠。14.根据申请专利范围第12项之内部连结结构,其中AlCu层具有实质上与铜层宽度相同的宽度。15.根据申请专利范围第13项之内部连结结构,其中阻挡层具有实质上与铜层宽度相同的宽度。16.根据申请专利范围第11项之内部连结结构,其进一步包含位于钝化层上的介电层。17.根据申请专利范围第14项之内部连结结构,其进一步包含位于钝化层上的介电层。18.根据申请专利范围第17项之内部连结结构,其中介电层会重叠AlCu层的重叠部份。19.根据申请专利范围第17项之内部连结结构,其中护垫限制层会重叠介电层。20.根据申请专利范围第18项之内部连结结构,其中阻挡层会重叠部份介电层。21.根据申请专利范围第9项之内部连结结构,其中铜层为约0.3至约2微米之厚度。22.根据申请专利范围第9项之内部连结结构,其中AlCu层包括约96至约99.5原子%之Al。23.根据申请专利范围第9项之内部连结结构,其中AlCu层为约0.5至约1.2微米之厚度。24.根据申请专利范围第9项之内部连结结构,其中阻挡层系选自由钛、钽、其氮化物、其混合物、其组合物及其合金等组成的各物。25.根据申请专利范围第9项之内部连结结构,其中阻挡层为约50至约1000埃之厚度。26.根据申请专利范围第9项之内部连结结构,其中阻挡层是TaN层、Ti层与TiN层之组合。27.根据申请寻利范围第9项之内部连结结构,其中TiN层为约200至约700埃之厚度,Ti层为约200至约700埃之厚度,及TaN层为约50至约1000埃之厚度。28.根据申请专利范围第9项之内部连结结构,其中封闭层包含氮化矽。29.根据申请专利范围第28项之内部连结结构,其封闭层为约100至约1000埃之厚度。30.根据申请专利范围第10项之内部连结结构,其中C4接点隆起是Sn-Pb焊剂。31.根据申请专利范围第11项之内部连结结构,其中纯化层系选自由二氧化矽、氮化矽、氧基氮化矽及其组合物等组成的各物。32.根据申请专利范围第28项之内部连结结构,其中钝化层为约1000至约9000埃之厚度。33.根据申请专利范围第14项之内部连结结构,其中介电层是聚亚醯胺。34.根据申请专利范围第1项之结构,其中护垫限制层系选自至少一种由氮化钛、铜、金、钛钨、铬及其组合物等组成的各物之元件。35.根据申请专利范围第1项之结构,其中护垫限制层包含TiW层,接着是CrCu层及接着是Cu层。36.根据申请专利范围第9项之内部连结结构,其中护垫限制层系选自至少一种由氮化钛、铜、金、钛钨、铬及其组合物等组成的各物之元件。37.根据申请专利范围第9项之内部连结结构,其中护垫限制层包含TiW层,接着是CrCu层及接着是Cu层。图式简单说明:图1是在Cu BEOL结构上先前技艺之C4之概要图形。图2是在Cu BEOL结构上根据本发明的C4之概要图形。 |
