发明名称 聚酯瓶、膜、容器及其制法
摘要 本发明系关于一种聚酯型坯、聚酯瓶、膜及容器,及其制法。该聚酯容器系藉由含有对苯二甲酸酯部份及8莫耳百分比至18莫耳百分比之异苯二甲酸酯基团之聚酯组成物进行应变诱导结晶所形成,且该聚酯酯容器密度为至少1.362gm/cm3,亦叙及此等容器之制法。
申请公布号 TW473509 申请公布日期 2002.01.21
申请号 TW086109791 申请日期 1997.07.11
申请人 BP安莫克股份有限公司 发明人 爱德华E.帕舒;查理W.鲍尔;詹姆斯M.提比
分类号 C08L67/00 主分类号 C08L67/00
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼;李明宜 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 2.如申请专利范围第1项之聚酯瓶,其具有少于或等于95公分之拉伸指数。3.如申请专利范围第1项之聚酯瓶,其盛装有一种液体,选自于饮料、碳酸水及碳酸饮料。4.一种聚酯容器,其系由聚酯组成物之应变诱导结晶化或是应变诱导结晶化与热结晶化之组合所形成者,该聚酯组成物包含对苯二甲酸酯成分及8至18莫耳百分率由异苯二甲酸酯和2,6-二甲酸酯所选出的之第二成分,其中2,6-二甲酸酯的含量为2.7至10.7莫耳百分率,而异苯二甲酸酯的含量为5.3至8莫耳百分率,该聚酯容器之密度为1.362至1.380gm/cm3,该应变诱导结晶化系在300至1500%/秒的拉伸速率、8至24的拉伸比及80至140℃的温度进行,该热结晶化系在100至210℃的温度进行且在该应变诱导结晶化之后。5.一种聚酯膜,其系由聚酯组成物之应变诱导结晶化或是应变诱导结晶化与热结晶化之组合所形成者,该聚酯组成物包含对苯二甲酸酯成分及8至18莫耳百分率的异苯二甲酸酯成分,该聚酯膜之密度为1.362至1.380gm/cm3,其中该应变诱导结晶化系在300至1500%/秒的拉伸速率、8至24的拉伸比及80至140℃的温度进行,该热结晶化系在100至210℃的温度进行且在该应变诱导结晶化之后。6.一种聚酯瓶,其系由聚酯组成物之应变诱导结晶化或是应变诱导结晶化与热结晶化之组合所形成者,该聚酯组成物包含对苯二甲酸酯成分及8至18莫耳百分率由异苯二甲酸酯和2,6-二甲酸酯所选出的第二成分,其中2,6-二甲酸酯的含量为2.7至10.7莫耳百分率,而异苯二甲酸酯的含量为5.3至8莫耳百分率,该聚酯瓶之密度为1.362至1.380gm/cm3,该应变诱导结晶化系在300至1500%/秒的拉伸速率、8至24的拉伸比及80至140℃的温度进行,该热结晶化系在100至210℃的温度进行且在该应变诱导结晶化之后。7.一种聚酯膜,其系由聚酯组成物之应变诱导结晶化或是应变诱导结晶化与热结晶化之组合所形成者,该聚酯组成物包含对苯二甲酸酯成分及8至18莫耳百分率由异苯二甲酸酯和2,6-二甲酸酯所选出的第二成分,其中2,6-二甲酸酯的含量为2.7至10.7莫耳百分率,而异苯二甲酸酯的含量为5.3至8莫耳百分率,该聚酯膜之密度为1.362至1.380gm/cm3,该应变诱导结晶化系在300至1500%/秒的拉伸速率、8至24的拉伸比及80至140℃的温度进行,该热结晶化系在100至210℃的温度进行且在该应变诱导结晶化之后。8.一种制造聚酯瓶之方法,包括:(a)提供一种聚酯组成物,其包含对苯二甲酸酯成分以及(i)8至18莫耳百分率的异苯二甲酸酯成分或(ii)8至18莫耳百分率由异苯二甲酸酯和2,6-二甲酸酯所选出的第二成分,其中2,6-二甲酸酯的含量为2.7至10.7莫耳百分率,而异苯二甲酸酯的含量为5.3至8莫耳百分率;(b)提供一种成形装置;及(c)使用该成形装置使聚酯组成物接受应变诱导结晶化,以300至1500%/秒的拉伸速率、8至24的拉伸比及80至140℃的温度进行,因此使聚酯组成物成形为密度1.362至1.380gm/cm3之聚酯瓶。9.如申请专利范围第8项之方法,其包括使用该成形装置使聚酯组成物接受应变诱导结晶化后,于100至210℃的温度接受热结晶化。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该成形装置为吹瓶装置。11.一种制造聚酯膜之方法,包括:(a)提供一种聚酯组成物,其包含对苯二甲酸酯成分以及(i)8至18莫耳百分率的异苯二甲酸酯成分或(ii)8至18莫耳百分率由异苯二甲酸酯和2,6-二甲酸酯所选出的第二成分,其中2,6-二甲酸酯的含量为2.7至10.7莫耳百分率,而异苯二甲酸酯的含量为5.3至8莫耳百分率;(b)提供一种成形装置;及(c)使用该成形装置使聚酯组成物接受应变诱导结晶化,以300至1500%/秒的拉伸速率、8至24的拉伸比及80至140℃的温度进行,因此使聚酯组成物成形为密度1.362至1.380gm/cm3之聚酯膜。12.如申请专利范围第11项之方法,其包括使用该成形装置使聚酯组成物接受应变诱导结晶化后,于100至210℃的温度接受热结晶化。
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