| 主权项 |
1.一种消除一光阻遮罩之显像相关缺陷之方法,该等缺陷称为聚合物滴,该光阻遮罩形成于一半导体晶圆之表面,该方法包含下列步骤:提供一半导体晶圆,该半导体晶圆具有一形成于其之光阻层;以标准方式曝露,烘焙与显像光阻层来产生一图样化光阻遮罩;与加热晶圆一段足够长之时间以达到属于100至140℃范围之温度,且不冷却晶圆,且在等于或高于室温之温度下利用去离子水来洗濯晶圆。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该半导体晶圆包含矽。3.如申请专利范围第2项之方法,其中加热矽晶圆之步骤是下列步骤:在显像之后执行显像后烘焙,但未进行通常之冷却。4.如申请专利范围第3项之方法,其中矽晶圆是在烘焙之后立刻受到洗濯,以避免任何冷却。5.如申请专利范围第4项之方法,其中烘焙温度是大约140℃。6.一种消除一光阻遮罩之显像相关缺陷之方法,该等缺陷称为聚合物滴,该光阻遮罩形成于一半导体晶圆之表面,该方法包含下列步骤:提供一半导体晶圆,该半导体晶圆具有一形成于其之光阻层;以标准方式曝露,烘焙与显像光阻层来产生一图样化光阻遮罩,其中洗濯子步骤是利用去离子水(DIW)来执行,且DIW之温度是介于40与60℃之间,而非22℃。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该半导体晶圆包含矽。8.如申请专利范围第7项之方法,其中去离子水之温度是等于大约60℃。9.一种消除一光阻遮罩之显像相关缺陷之方法,该等缺陷称为聚合物滴,该光阻遮罩形成于一半导体晶圆之表面,该方法包含下列步骤:提供一半导体晶圆,该半导体晶圆具有一形成于其之光阻层;以标准方式曝露,烘焙与显像光阻层来产生一图样化光阻遮罩;与使得晶圆经历去离子水之一额外洗濯,且DIW之温度是介于40与60℃之间。10.如申请专利范围第6项之方法,其中该半导体晶圆包含矽。11.如申请专利范围第10项之方法,其中去离子水之温度是大约60℃。图式简单说明:图1A-1D展示一半导体结构之横截面,其中该半导体结构经历一传统CB接孔形成程序之基本步骤。图2A是一所谓之小聚合物滴缺陷之SEM照片。图2B与2C是分别位于"阵列"与"支撑/截断"区之所谓大聚合物滴缺陷之SEM照片。图3是表示一经检视晶圆之表面之全部缺陷(亦即与滴无关之缺陷与滴缺陷)的地图。图4是一描述许多晶圆之全部缺陷之平均数目的图形,其中该等晶圆是利用不同光阻剂A,B,与C来处理。图5是一展示显像后烘焙温度对于每一晶圆之全部缺陷数目之影响的图形,其中该等晶圆支援本发明之第一方法。图6是一展示,当本发明之二方法用于标准之显像程序时,在每一晶圆量到之全部缺陷数目之大幅减少的图形。图7(a)展示,在一额外DIW洗濯受到执行之前,五组晶圆之全部缺陷之数目,且图7(b)展示,在以五种不同温度利用DIW来执行一额外DIW洗濯之后,相同之五组晶圆之全部缺陷数目(决定于缺陷种类之缺陷分布也受到显示)。图8是一展示50晶圆之全部缺陷之分布的图形,其中该图显示,当本发明之第二方法用于光阻剂A时,大滴缺陷之完全消除与小滴缺陷之大幅减少。图9是一展示全部缺陷之数目之减少的图形,其中该减少是由于,当本发明之第二方法用于光阻剂B时,大滴缺陷之完全消除与小滴缺陷之大幅减少。 |
