| 主权项 |
1.一种器件小片之制造方法,包括以下步骤:在一第一基底上设置一器件结构;在该器件结构上作出多数第一分离记号,第一分离记号延伸而局部穿入该第一基底;在器件结构之顶面放置一第二基底,与该第一基底相反并面向第一分离记号;在第一基底背对第一分离记号之一侧上,作出多数第二分离记号,第二分离记号与第一分离记号对正成一直线;及切割贯穿第一基底与第二基底,以产生器件小片。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一基底为透明的。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该第一基底为蓝宝石。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该器件结构为一半导体器件结构。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该器件结构为一发光二极体器件结构。6.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该器件结构为一检波器器件结构。7.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该器件结构形成时,具有至少二个设于顶面上的触点。8.如申请专利范围第1项所述之方法,进而包括接合第一基底与第二基底。9.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该第二基底具有与该至少二个触点联结之接触垫。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二基底系使用金属、半导体或聚合物制成。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一及该第二基底之中,至少有一基底被修薄。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二基底包括一反射层。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该反射层为一介电叠片组。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该反射层为一种金属。15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中该金属反射层系用至少一层绝缘层形成其边界。16.如申请专利范围第4项所述之方法,其中该LED器件结构包括之材料系从包含Si、(AlGaIn)As、(AlGaIn)P及(AlGaIn)N之群组中选出。17.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二基底为一种材料,系从包含Si、GaAs及SiC之群组中选出。18.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该至少二个触点系设于不同的高度。19.如申请专利范围第8项所述之方法,其中该晶圆接合步骤包括在该第一及该第二基底间夹设一种金属或一种金属化合物。20.如申请专利范围第1项所述之方法,其中贯穿该第一基底与该第二基底之切割,系在偏离该第一及该第二分离记号之位置上实施。21.如申请专利范围第9项所述之方法,其中之切割使第二基底上的接触垫至少其中之一外露。22.一种从上方置有一LED器件结构之基底晶圆制造多数LED器件之方法,包括以下步骤:在该LED器件结构上定义多数LED小片;在背对该基底晶圆之LED器件上设置多数触点,用以对LED小片供应一电压;在位于基底晶圆设有LED器件结构之一侧的LED小片间,设置一第一分离记号;提供一设有多数电极之操作晶圆,使该等电极可与LED结构之各触点匹配;接合该基底晶圆与该操作晶圆,使各电极与LED结构之各触点匹配;在基底晶圆背对LED器件结构之一侧上,设置与第一分离记号大致对正之第二分离记号;及进行贯穿该基底晶圆与该操作晶圆并侧向偏离该第一及该第二分离记号之分离切割,以分离LED小片而形成多数LED器件。23.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该操作晶圆具有电传导性。24.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该基底晶圆具有光学透通性。25.如申请专利范围第23项所述之方法,其中电力系经由该具有电传导性之操作晶圆供应至该LED器件。26.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该侧向偏位之分离切割使操作晶圆之触点中至少有一触点外露,以供供应电力至LED器件。27.如申请专利范围第24项所述之方法,其中该基底晶圆为蓝宝石。28.如申请专利范围第24项所述之方法,其中该操作晶圆系用金属、半导体或聚合物制成。29.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该基底晶圆与该操作晶圆之中,至少有一基底被修薄。30.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该操作晶圆包括一反射层。31.如申请专利范围第30项所述之方法,其中该反射层为一介电叠片组。32.如申请专利范围第30项所述之方法,其中该反射层为一种金属。33.如申请专利范围第32项所述之方法,其中该金属反射层系用至少一层绝缘层形成其边界。34.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该LED器件结构包括之材料系从包含(AlGaIn)As、(AlGaIn)P及(AlGaIn)N之群组中选出。35.如申请专利范围第22项所述之方法,其中该操作晶圆为一种材料,系从包含Si、GaAs及SiC之群组中选出。36.如申请专利范围第22项所述之方法,其中与该LED器件导通之触点系设于不同的高度。图式简单说明:图1a显示在一绝缘基底上生长之LED器件层,及LED小片间的刻划记号;图1b显示图1a之LED器件晶圆与一操作晶圆接合;图1c显示接合后之图1b LED器件晶圆,其中含有相对之刻划;图1d显示接合后之图1c LED器件晶圆,其中含有用于分离小片的切口;图1e显示分离后之图1d小片,其中含有外露的触点;图2a显示一含有LED之透明基底及一含有匹配触点之操作晶圆在接合前的状态;图2b显示图2a之基底与操作晶圆在接合后的状态;图2c显示图2b之LED于分离后的状态;图3显示图2c之GaN LED其LED输出功率改进,优于具有顶面p触点之习式LED;及图4a-e显示接合AlInGaP LED与操作晶圆之处理流程,其中已除去LED之基底。 |
