| 主权项 |
1.一种发光二极体,其具有-一种半导体层结构,其包含一个基板及至少一个形成在基板上之发光层。-一个在基板上之第一电性接触层,-一个第二电性接触层(50),其是在半导体层结构之面向基板之表面之至少一个区段上,其特征为:此种面向基板之表面在至少一个区段上须被结构化,使此种表面具有许多平截头棱锥体(10)。2.如申请专利范围第1项之发光二极体,其中此平截头棱锥体(10)具有三个侧面。3.如申请专利范围第2项之发光二极体,其中-此种具有三侧面之平截头棱锥体(10)是由以下之参数范围所界定:0.1≦V≦1045≦≦88,,>10-V=A1/2/h,其中A是平截头棱锥体(10)之三角形基面(1)之面积且h是平截头棱锥体(10)之高度,是平截头棱锥体(10)之侧面之间隙角,,是三角形基面(1)之角度。4.如申请专利范围第3项之发光二极体,其中-对所有之侧面(2A,2B,2C)和基面(1)而言在V=1,=75时,等腰三角形之主角度是=70。5.如申请专利范围第1项之发光二极体,其中平截头棱锥体(10)具有4个侧面或多于4个之侧面。6.如申请专利范围第1至5项中任一项之发光二极体,其中此面向基板之表面之以第二电性接触层(50)覆盖之区段已被结构化。7.如申请专利范围第1项之发光二极体,其中此基板由GaAs构成且发光层由InGaAlP构成。8.如申请专利范围第1项之发光二极体,其中该表面结构是由另一微影术步骤及随后之乾蚀刻而产生。9.如申请专利范围第1项之发光二极体,其中-此面向基板之表面是矩形的,-第二电性接触层(50)是一种十字形结构,其具有一种位于中央之连接面及由此连接面开始而分别在该矩形表面之4个角隅之方向中延伸之指形连接面,-这些指形连接面之间的区域(A-D)是以平截头棱锥体(10)来覆盖。10.如申请专利范围第6项之发光二极体,其中-此面向基板之表面是矩形的,-第二电性接触层(50)是一种十字形结构,其具有一种位于中央之连接面及由此连接面开始而分别在该矩形表面之4个角隅之方向中延伸之指形连接面,-这些指形连接面之间的区域(A-D)是以平截头棱锥体(10)来覆盖。11.如申请专利范围第1或9项之发光二极体,其中第二电性接触层(50)对所发射之光束而言是不透明的。12.如申请专利范围第1或9项之发光二极体,其中第二电性接触层(50)是由透明之导电性薄层,特别是ITO(铟锡氧化物)层,所构成。图式简单说明:第1图 反射器中一般配置之LED之已简化之横切面。第2图 本发明三侧面式平截头棱锥体之一种形式。第3图 LED之矩形表面之俯视图,此LED之一部份设有本发明之平截头棱锥体。 |
