发明名称 |
Speichersystem, NAND-Flashspeicher und Verfahren zum Lesen von Daten in einem NAND-Flashspeichersystem mit wahlfreiem Zugriff |
摘要 |
Ein Speichersystem (10) umfasst einen Speicher (200) und eine Speichersteuereinheit (100), die dazu ausgebildet ist, den Speicher (200) zu steuern, wobei der Speicher (200) umfasst: einen Speicher (220) mit wahlfreiem Zugriff, der ein Speicherzellenfeld aufweist, das einen wahlfreien Zugriff ermöglicht, einen NAND-Flashspeicher (240) und einen Auswahlschaltkreis (260), der entweder den Speicher (220) mit wahlfreiem Zugriff oder den NAND-Flashspeicher (240) zur Steuerung durch die Speichersteuereinheit (100) auswählt.
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申请公布号 |
DE102008009846(A1) |
申请公布日期 |
2008.09.04 |
申请号 |
DE200810009846 |
申请日期 |
2008.02.12 |
申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. |
发明人 |
LEE, BYEONG-HOON;KIM, KI-HONG;LEE, SEUNG-WON;KIM, SUN-KWON |
分类号 |
G11C16/06 |
主分类号 |
G11C16/06 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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