发明名称 Speichersystem, NAND-Flashspeicher und Verfahren zum Lesen von Daten in einem NAND-Flashspeichersystem mit wahlfreiem Zugriff
摘要 Ein Speichersystem (10) umfasst einen Speicher (200) und eine Speichersteuereinheit (100), die dazu ausgebildet ist, den Speicher (200) zu steuern, wobei der Speicher (200) umfasst: einen Speicher (220) mit wahlfreiem Zugriff, der ein Speicherzellenfeld aufweist, das einen wahlfreien Zugriff ermöglicht, einen NAND-Flashspeicher (240) und einen Auswahlschaltkreis (260), der entweder den Speicher (220) mit wahlfreiem Zugriff oder den NAND-Flashspeicher (240) zur Steuerung durch die Speichersteuereinheit (100) auswählt.
申请公布号 DE102008009846(A1) 申请公布日期 2008.09.04
申请号 DE200810009846 申请日期 2008.02.12
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. 发明人 LEE, BYEONG-HOON;KIM, KI-HONG;LEE, SEUNG-WON;KIM, SUN-KWON
分类号 G11C16/06 主分类号 G11C16/06
代理机构 代理人
主权项
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