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Eine SiC-Halbleitervorrichtung mit einer MOS-Struktur weist auf: ein SiC-Substrat (1); einen Kanalbereich (2), der einen Strompfad bereitstellt; einen ersten Störstellenbereich (4), der auf einer Stromaufwärtsseite des Strompfads angeordnet ist, und einen zweiten Störstellenbereich (5), der auf einer Stromabwärtsseite des Strompfads angeordnet ist; einen Gate-Isolierfilm (3), der auf einer Oberfläche des Kanalbereichs angeordnet ist; und ein Gate (7), das über den Gate-Isolierfilm auf dem Kanalbereich angeordnet ist. Der Kanalbereich für einen Stromfluss zwischen dem ersten und dem zweiten Störstellenbereich wird durch eine an das Gate gelegte Spannung gesteuert. Eine Grenzfläche zwischen dem Kanalbereich und dem Gate-Isolierfilm weist eine Wasserstoffkonzentration von größer oder gleich 4,7 x 10<SUP>20</SUP> cm<SUP>-3</SUP> auf. Die Grenzfläche stellt eine Kanaloberfläche bereit, die eine Oberfläche mit einer (000-1)-Orientierung aufweist.
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