电浆薄膜形成方法及电浆薄膜形成装置

摘要

此电浆薄膜形成方法以及装置系以介电质堵住真空腔之上面开口部，于其上面侧设置平面天线构件。在此平面天线构件之上面侧设置同轴导波管，在此导波管连接微波产生手段。在平面天线构件设置多数之同心圆状，例如微波之一半波长之长度的沟槽，由这些沟槽例如以圆偏波方式放射微波于处理环境中，将原料气体予以电浆化，令产生以平均自乘速度所定义的电子温度在3eV以下，而且，电子密度在5X1011个／cm^3以上之电浆，形成添加氟碳膜。在此情形，最好将制程压力设定在19.95Pa以下以进行制程。藉由如此，在使用电浆以形成添加氟碳膜时，可令原料气体，例如C5F8气体之分子结合适度地分解，获得CF结合之长的联锁构造，藉此，可以形成低介电率，泄漏电流小之优异的层间绝缘膜。