| 主权项 |
1.一种基板的正面与背面之清洗及乾燥用的方法, 包含以下步骤: 擦洗步骤,使用一擦洗流体化学品擦洗基板的背面 ;及 正面弯液面的施加步骤,一旦完成背面的擦洗之后 ,就在基板的正面之上施加一正面弯液面,正面弯 液面系含有一正面清洗化学品,而正面清洗化学品 与该擦洗流体化学品呈化学性相容。 2.如申请专利范围第1项之基板的正面与背面之清 洗及乾燥用的方法,更包含以下步骤: 扫掠步骤,扫掠基板的正面。 3.如申请专利范围第1项之基板的正面与背面之清 洗及乾燥用的方法,更包含以下步骤: 背面弯液面的施加步骤,在基板的背面之上施加一 背面弯液面,背面弯液面系含有一背面清洗化学品 ,而背面清洗化学品与该擦洗流体化学品呈化学性 相容。 4.如申请专利范围第3项之基板的正面与背面之清 洗及乾燥用的方法,更包含以下步骤: 扫掠步骤,扫掠基板的背面。 5.如申请专利范围第1项之基板的正面与背面之清 洗及乾燥用的方法,其中正面与背面弯液面的正面 化学品与背面化学品系与擦洗流体化学品相容,俾 能避免造成基板正面的化学污染。 6.如申请专利范围第5项之基板的正面与背面之清 洗及乾燥用的方法,其中该化学污染造成微粒污染 物。 7.一种基板制备系统,包含: 刷子,使用一擦洗化学品擦洗基板的背面; 正面头,紧密地近接于基板的正面;及 背面头,紧密地近接于基板的背面,而将背面头定 位成实质上与正面头对向配置; 其中当刷子与基板分开时,正面头与背面头系成对 地作用于基板。 8.如申请专利范围第7项之基板制备系统,其中,实 质上同步地使正面头扫掠基板的正面和使背面头 扫掠基板的背面。 9.如申请专利范围第7项之基板制备系统,其中,正 面头含有一第一正面导管、一第二正面导管、及 一第三正面导管,其中该第一正面导管、第二正面 导管、及第三正面导管系形成为操作时实质上同 时动作,且该背面头含有一第一背面导管、一第二 背面导管、及一第三背面导管,其中该第一背面导 管、第二背面导管、及第三背面导管系形成为操 作时实质上同时动作。 10.如申请专利范围第7项之基板制备系统,更包含: 正面臂,固定于正面头,用以移动正面头至紧密地 近接于基板的正面;及 背面臂,固定于背面头,用以在正面头移动的实质 上同时移动背面头至紧密地近接于基板的背面。 11.一种基板之表面的制备方法,包含以下步骤: 扫掠步骤,使用一弯液面扫掠基板之表面; 制备步骤,使用弯液面制备基板之表面;及 次一制备操作的进行步骤,于未进行一冲洗操作的 情况下,在已制备的基板之表面之上进行次一制备 操作。 12.如申请专利范围第11项之基板之表面的制备方 法,其中使已制备的基板之表面成为乾燥的。 13.如申请专利范围第11项之基板之表面的制备方 法,其中该弯液面包含具有基板表面制备性质的一 流体。 14.如申请专利范围第11项之基板之表面的制备方 法, 其中,该制备基板之表面的操作包括下列操作其中 之一:清洗基板之表面,与去除形成在基板的表面 之上的一层;及 其中,次一制备操作包括下列操作其中之一:在基 板的表面之上涂布一层,与储存基板。 15.一种基板之表面的制备方法,包含以下步骤: 一第一弯液面的施加步骤,将一第一弯液面施加在 基板的表面之上,以制备基板之表面;及 一第二弯液面的施加步骤,在已制备的基板之表面 上施加一第二弯液面,俾能第二次地制备已制备的 基板之表面,其中使第二弯液面的施加步骤在不需 进行一冲洗操作的情况下实质紧接于第一弯液面 的施加步骤之后。 16.如申请专利范围第15项之基板之表面的制备方 法,其中制备基板之表面的操作系包括: 去除形成在基板表面之上的一层。 17.如申请专利范围第15项之基板之表面的制备方 法,其中将第一弯液面施加在基板的表面之上的第 一弯液面的施加步骤系用以使基板之表面处于实 质乾燥的状态。 18.如申请专利范围第15项之基板之表面的制备方 法,其中将第一弯液面施加在基板的表面之上的第 一弯液面的施加步骤系用以产生沈淀的残余物。 19.如申请专利范围第15项之基板之表面的制备方 法,其中将在已制备的基板之表面之上施加第二弯 液面的第二弯液面的施加步骤系包括: 在已制备的基板之表面之上形成一材料层。 20.如申请专利范围第15项之基板之表面的制备方 法, 其中,该第一弯液面系含有一第一化学品,且第二 弯液面系含有一第二化学品,及 其中,形成在已制备的基板之表面之上的材料层, 系由于第二弯液面之第二化学品与沈淀的残余物 之间的化学反应而形成。 图式简单说明: 图1A为根据本发明之一实施例的例示性之擦洗与 近接清洗及/或乾燥系统的简化之横剖面图。 图1B为根据本发明之另一实施例的例示性之擦洗 与近接清洗及/或乾燥系统的简化之局部上视图, 其显示化学品在擦洗近接清洗及/或乾燥系统之中 的供应、传送、及收集。 图2A为根据本发明之再一种实施例的擦洗与近接 清洗及/或乾燥系统之简化的横剖面图。 图2B显示根据本发明之又一种实施例的使用刷子 擦洗晶圆背面之简化的上视图。 图3A显示根据本发明之再一种实施例的采用与擦 洗化学品相容之化学品近接清洗及/或乾燥晶圆正 面与背面的简化之横剖面图。 图3B为根据本发明之再一种实施例的晶圆表面正 在受到正面近接头之清洗及/或乾燥的图3A所示之 晶圆正面的简化之上视图。 图4A为根据本发明之再一种实施例的例示性之近 接头的简化之下视图。 图4B为根据本发明之再一种实施例的又一种例示 性之近接头的简化之下视图。 图5A显示根据本发明之再一种实施例的正在受到 正面近接头之清洗及/或乾燥的晶圆正面之简化的 横剖面图。 图5B为根据本发明之再一种实施例的图5A所示之区 域的简化之放大图。 图5C为根据本发明之再一种实施例的在近接清洗 及/或乾燥晶圆正面之后、具有其上才形成有氧化 层之复数个金属线的晶圆正面之简化的局部放大 横剖面图。 图6A显示根据本发明之再一种实施例的在例示性 之擦洗近接清洗及/或乾燥系统之中所进行的方法 操作之流程图。 图6B显示根据本发明之一实施例的在擦洗晶圆背 面时、所进行之方法操作的流程图。 图6C显示根据本发明之再一种实施例的在晶圆正 面与背面的近接清洗期间所进行之方法操作的流 程图。 图7A为根据本发明之一实施例的例示性之近接基 板制备系统的简化之横剖面图。 图7B显示根据本发明之另一种实施例的图7A之近接 基板制备系统开始进行晶圆正面之近接制备的简 化之上视图。 图7C为根据本发明之又一种实施例的在清洗/乾燥 操作实质结束时的图7B所示之晶圆正面的简化之 上视图。 图7D为根据本发明之又一种实施例的已经过图7C所 示之正面近接头的清洗及/或乾燥之晶圆正面的简 化之横剖面图。 图7E为根据本发明之又一种实施例的例示性之正 面近接头的简化之下视图。 图8A为根据本发明之又一种实施例的用以制备晶 圆正面之近接头的简化之上视图。 图8B为根据本发明之再一种实施例的正在受到图8A 所示之制备的晶圆正面之简化的横剖面图。 图9A为根据本发明之再一种实施例的实施成一对 平行之杆型近接头的例示性之连续的近接制备系 统之简化的横剖面图。 图9B为根据本发明之再一种实施例的正在受到图9A 所示之两个杆型的近接头之制备的晶圆正面之简 化的上视图。 图9C为根据本发明之再一种实施例的在晶圆表面 正在受到两个杆型近接头之制备时的图9B所示之 晶圆正面的简化之横剖面图。 图9D为根据本发明之再一种实施例的例示性之近 接杆的简化之上视图。 图10A为根据本发明之再一种实施例的实施成单一 杆型近接头之连续的近接制备系统之简化的上视 图。 图10B为根据本发明之再一种实施例的正在受到图 10A所示之单一杆型的近接头之制备的晶圆正面之 简化的横剖面图。 图10C为根据本发明之再一种实施例的含有两个弯 液面之例示性的单一杆型近接头之简化的下视图 。 图11显示根据本发明之再一种实施例的在例示性 的近接晶圆制备系统之中所进行的方法操作之流 程图。 图12显示根据本发明之一实施例的在使用两个杆 型近接头之连续的近接制备系统之中所进行的方 法操作之流程图。 图13显示根据本发明之再一种实施例的在实施成 含有两个弯液面之单一杆型的近接头之连续的近 接制备系统之中所进行的方法操作之流程图。 图14显示根据本发明之一实施例的晶圆处理系统 。 图15A显示根据本发明之一实施例的进行晶圆处理 操作之近接头。 图15B显示根据本发明之一实施例的近接头之局部 的上视图。 图15C显示根据本发明之一实施例的近接头之入口/ 出口图案。 图15D显示根据本发明之另一实施例的近接头之入 口/出口图案。 图15E显示根据本发明之又一实施例的近接头之入 口/出口图案。 |
