| 发明名称 | 通过选择性生长来制造Ge或SiGe/Si波导或光子晶体结构的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种用于形成低损晶体高级波导的方法。该方法包括：提供一基片；以及在所述基片上形成电介质层。通过蚀刻所述电介质层的一部分，形成一通道。在用于限定所述通道的区域中，选择性地生长Si、Ge或SiGe层。此外，该方法包括在限定的温度范围中对所述波导进行热退火。 | ||
| 申请公布号 | CN101258434A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200680032755.3 | 申请日期 | 2006.07.25 |
| 申请人 | 马萨诸塞州技术研究院 | 发明人 | D·潘;J·刘;J·米歇尔;J·A·亚塞迪斯;L·C·金莫林 |
| 分类号 | G02B6/122(2006.01);G02B6/136(2006.01);G02B6/13(2006.01) | 主分类号 | G02B6/122(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 1.一种用于形成低损晶体高级波导的方法，包括：提供一基片；在所述基片上形成电介质层；通过蚀刻所述电介质层的一部分，形成一通道；在用于限定所述通道的区域中，选择性地生长Si、Ge或SiGe层；以及在限定的温度范围中，对所述波导进行热退火。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||