| 发明名称 | 多波长光接收元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多波长光接收元件。该多波长光接收元件包括第一类型基片。第一本征层被放置在第一类型基片上。重掺杂第二类型埋藏层被放置在第一本征层上，并且第二本征层被放置在重掺杂第二类型埋藏层上。多个重掺杂第一类型指被浅嵌入在第二本征层中。第一类型具有与第二类型相反的掺杂状态。 | ||
| 申请公布号 | CN100416864C | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200410102418.X | 申请日期 | 2004.12.22 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 高主烈;姜信在;权敬洙 |
| 分类号 | H01L31/10(2006.01);H01L31/18(2006.01) | 主分类号 | H01L31/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1. 一种多波长光接收元件，其包括：第一类型基片；第一本征层，其被放置在第一类型基片上；重掺杂第二类型埋藏层，其被放置在第一本征层上；第二本征层，其被放置在重掺杂第二类型埋藏层上；以及多个重掺杂第一类型指，其被浅嵌入在第二本征层中，其中第一类型具有与第二类型相反的掺杂状态。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||