| 发明名称 | 氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法，粗研磨中，提升上固定盘，在无负载的状态下研磨GaN衬底，使翘曲为R≥50m。在精密研磨中，通过过氧二硫酸钾、氢氧化钾和紫外线，对GaN进行化学研磨。与基于游离磨粒的机械研磨进行组合，实现了GaN的化学机械研磨(CMP)。能使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤0.5nm。背面也用CMP进行精密研磨，使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤2nm。也可以使表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤5nm，背面为0.1nm≤RMS≤5000nm。 | ||
| 申请公布号 | CN100416868C | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN03158057.2 | 申请日期 | 2003.09.04 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社;索尼公司 | 发明人 | 中山雅博;松本直树;玉村好司;池田昌夫 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);C30B29/38(2006.01);H01L21/304(2006.01);B24B7/22(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1. 一种氮化物半导体衬底，其特征在于：直径为45mm以上，形成有具有一个极大点或极小点的均匀翘曲，中央部的高度H为12μm以下或翘曲的曲率半径R为21m以上，表面粗糙度为0.1nm≤RMS≤5nm，背面粗糙度为0.1nm≤RMS≤5000nm。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||