| 发明名称 | 低电压和界面免损聚合物存储器设备及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例涉及一种聚合物存储器设备及其制造方法。该存储器设备可以包括根据各个实施例提出表面工程技术需要的复层或者单层铁电性聚合物存储器。该铁电性聚合物存储器结构可以包括晶态铁电性聚合物层，例如单聚合物和共聚合物的组合物。该结构可以包括通过旋压和/或者朗格缪尔-布罗基特法沉积的组合物。本发明的一个实施例涉及制造该聚合物存储器设备的实施例的方法。本发明的一个实施例涉及允许存储器设备与各种现有主机连接的存储器系统。 | ||
| 申请公布号 | CN100416838C | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN02811811.1 | 申请日期 | 2002.06.28 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 马克·伊森贝格尔;晓春·穆;健·李 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);G11C11/22(2006.01);H01L21/8246(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 1. 一种制造存储设备的方法，包括：在衬底上形成第一电极；在所述衬底和所述第一电极上形成铁电性聚合物结构；在所述铁电性聚合物结构上形成第二保护膜；和在所述第二保护膜上形成第二电极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||