发明名称 |
磁光稀土铁酸盐晶体无坩埚生长方法 |
摘要 |
本发明涉及磁光稀土铁酸盐晶体无坩埚生长方法,属于单晶生长领域。其特征是以氧化物为原料按照比例经过预烧、等静压成型和高温烧结得到原料棒,再将料棒置于无坩埚晶体生长炉中,在空气气氛中进行生长。本发明的特点在于,采用无坩埚技术生长RFeO<SUB>3</SUB>晶体,并且不需要任何助熔剂,最大程度地减少了生长过程中助熔剂和坩埚对晶体的污染,可大大减少磁光晶体中的杂质缺陷,提高了晶体质量。 |
申请公布号 |
CN101255602A |
申请公布日期 |
2008.09.03 |
申请号 |
CN200710171689.4 |
申请日期 |
2007.12.03 |
申请人 |
中国科学院上海硅酸盐研究所 |
发明人 |
徐家跃;申慧;郁金星;武安华 |
分类号 |
C30B29/24(2006.01);C30B13/00(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/24(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、磁光稀土铁酸盐晶体无坩埚生长方法,其特征在于包括下述步骤:(1)原料配比与预烧:将氧化物原料按RFeO3,R=Bi、Y、Ho、Er、Tb、Yb或其它稀土元素称量配料,机械混合后,预烧制成多晶料;(2)料棒制备:将多晶料在100-250MP压力下等静压成型,制备出料棒毛坯,然后烧结得到料棒,用于晶体生长;(3)晶体生长:将料棒固定在中轴线夹具上,与底部的籽晶相连,待形成稳定熔区后,启动旋转系统和下降机构,料棒和籽晶杆反向旋转,并且同时向下移动,控制生长速度:5-10mm/h,料棒及籽晶旋转速度:5-40rpm;(4)晶体后处理:在空气气氛中退火30h以上,缓慢降至室温。 |
地址 |
200050上海市定西路1295号 |