发明名称 用于有源矩阵电致发光器件的像素电路
摘要 本发明涉及一种用于有源矩阵电致发光器件的像素电路。该电路包括:两个TFT支路,即晶体管TD1、TD2、TB1、TB2,还有晶体管T1,存储电容Cst,OLED D1,数据信号线DAT,行扫描线Gn,电源线VDD,信号线BS1、BS2;晶体管T1的栅极连接于行扫描线Gn上,晶体管T1的源电极连接于信号线,漏电极与晶体管TD1与晶体管TD2的栅电极连接;晶体管TD1与晶体管TD2的漏电极连接于电源线,源电极分别连接晶体管TB1与晶体管TB2的漏电极;晶体管TB1与晶体管TB2的源电极共同连接于D1的阳极,栅电极分别连接与信号线晶体管TB1与晶体管TB2;D1阴极接显示器公共地电压;存储电容C1连接于管T1、晶体管TD1公共栅电极与电源线之间。
申请公布号 CN101256738A 申请公布日期 2008.09.03
申请号 CN200810035680.5 申请日期 2008.04.07
申请人 上海广电光电子有限公司 发明人 李俊峰;张晓建
分类号 G09G3/32(2006.01) 主分类号 G09G3/32(2006.01)
代理机构 上海申汇专利代理有限公司 代理人 白璧华
主权项 1、一种用于有源矩阵电致发光器件的像素电路,其持征在于:所述的像素电路,包括两个TFT支路、TFT T1、存储电容Cst,OLED D1,数据信号线DAT,行扫描线Gn,电源线VDD,信号线BS1、BS2;所述的两个TFT支路交替驱动OLED,使得每一个支路在不向OLED提供电流的时间内,消除驱动TFT上的VGS偏压;驱动OLED的TFT在不供给OLED电流的时间,使其VGS偏置降到0V附近或者使其值为负值,以加速TFT特性漂移后在一定程度上发生的特性恢复。
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