发明名称 | 一种双波长单芯片发光二极管 | ||
摘要 | 本发明公开了一种双波长单芯片发光二极管,属于半导体照明领域和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术领域。该器件包括若干个n型接触层、两个有源层和若干个p型接触层,上述n型接触层、有源层和p型接触层为相互叠加结构,所述两个有源层为不同光波段的量子阱,且上述两个有源层之间共用一p型接触层或一n型接触层。本发明LED器件可以通过控制各个电极所加的电流、电压的大小,控制两种不同光波段的量子阱的发光强度,且具有器件电路简单,寿命长,光电转化效率高的特点。本发明对制备无需荧光粉,较高光电转化效率的单芯片白光LED具有重要意义,并且将在白光照明,全色显示和光调节领域发挥重要作用。 | ||
申请公布号 | CN101257081A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
申请号 | CN200810103336.5 | 申请日期 | 2008.04.03 |
申请人 | 北京大学 | 发明人 | 陶岳彬;杨志坚;方浩;桑立雯;李丁;张国义 |
分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人 | 贾晓玲 |
主权项 | 1、一种双波长单芯片发光二极管,其特征在于,包括若干个n型接触层、两个有源层和若干个p型接触层,上述n型接触层、有源层和p型接触层为相互叠加结构,所述两个有源层为不同光波段的量子阱,且上述两个有源层之间共用一p型接触层或一n型接触层。 | ||
地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号 |