半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，在使用SiC基板的半导体装置中，JTE层几乎不会受到固定电荷的影响，可取得稳定的绝缘击穿耐压。本发明的第一方式的半导体装置具备：SiC外延层(2)，其具有n型导电性；杂质层(3)，其形成在SiC外延层(2)的表面内，并具有p型导电性；以及JTE层(5)，其与杂质层(3)邻接地形成，并具有p型导电性，且杂质浓度低于杂质层(3)。此处，JTE层(5)形成在从SiC外延层(2)的上表面隔开预定的距离的位置，JTE层(5)的上方形成有具有n型导电性的SiC区域(10)。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具备：SiC区域(2)，其具有n型导电性；杂质层(3)，其形成在上述SiC区域的表面内，并具有p型导电性；以及JTE层(5)，其与上述杂质层邻接地形成，并具有p型导电性，且杂质浓度低于上述杂质层，其中，上述JTE层形成在从上述SiC区域的上表面隔开预定的距离的位置，上述JTE层的上方形成有具有n型导电性的区域(10)。