| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高性能化的半导体装置及其制造方法，可不设置高精度的曝光装置而制造。该半导体装置具备：在第一导电型集电极层上形成的导电层；在导电层上形成的第一导电型的发射极电极；沿发射极电极与导电层的界面自发射极电极的外侧向内侧突出的突出部。另外，导电层具有经由突出部与发射极电极相接的第一导电型的发射极扩散层和第二导电型的基极层。 | ||
| 申请公布号 | CN101257043A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200810080662.9 | 申请日期 | 2008.02.28 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 井原良和 |
| 分类号 | H01L29/73(2006.01);H01L21/331(2006.01) | 主分类号 | H01L29/73(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，其具备：在第一导电型集电极层上形成的导电层；在所述导电层上形成的第一导电型的发射极电极；沿所述发射极电极与所述导电层的界面、自所述发射极电极的外侧向内侧突出的突出部，所述导电层具有经由所述突出部与所述发射极电极相接的第一导电型的发射极扩散层和第二导电型的基极层。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||