发明名称 热处理装置
摘要 在本发明的热处理装置中,将在上面形成热处理对象物的玻璃基板(11)进行热处理用的多个热处理室(10a、10b)沿一定方向连接。各热处理室(10a、10b)在内部具有将玻璃基板(11)放置在正上面进行传送的第1或第2辊道(12a、12b)。第1辊道(12a)是在热处理的温度范围内维克斯硬度随着温度上升而增大的辊道,第2辊道(12b)反之是维克斯硬度减小的辊道。在各热处理室(10a、10b)中排列第1辊道(12a)或第2辊道(12b)的任一种辊道,使得与热处理的设定温度下的玻璃基板(11)的维克斯硬度的硬度差较小。
申请公布号 CN101256051A 申请公布日期 2008.09.03
申请号 CN200810081581.0 申请日期 2008.02.27
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 植松克仁;森田真登;西木直巳;桐原信幸;石尾博明
分类号 F27B9/00(2006.01);F27B9/02(2006.01);F27B9/24(2006.01);H01J9/00(2006.01) 主分类号 F27B9/00(2006.01)
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 代理人 张鑫
主权项 1.一种热处理装置,该热处理装置的热处理室在内部具有将玻璃基板放置在正上面来进行传送的多个传送辊道,并将多个所述热处理室沿所述玻璃基板的传送方向连接,并且将在传送的玻璃基板的上面形成的热处理对象物进行热处理,其特征在于,作为传送辊道,使用在所述热处理的温度范围内维克斯硬度随着温度上升而增大的第一传送辊道、以及维克斯硬度随着温度上升而减小的第二传送辊道,并且在对所述玻璃基板的热处理温度进行设定的各热处理室中,选择所述第一传送辊道或所述第二传送辊道的任一种传送辊道进行排列,使得与该设定温度下的所述玻璃基板的维克斯硬度的硬度差较小。
地址 日本大阪府