| 发明名称 | 生成Ⅲ－N层的方法，和Ⅲ－N层或Ⅲ－N衬底，以及其上的器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种生长厚III－N层的外延生长方法，其中，III指元素周期表中第III族中的至少一种元素，厚III－N层被沉积在异质衬底上。外延生长方法优选用HVPE来实现。衬底也可以是包含异质衬底和至少一个薄III－N中间层的模板。通过使衬底具有有意选取的取向差和/或在外延生长处理过程的最后减小N/III比率和/或反应器压力，可以改善表面质量。本发明也公开了具有这种改善III－N层的衬底和半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN101258271A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200680015547.2 | 申请日期 | 2006.05.05 |
| 申请人 | 弗赖贝格化合物原料有限公司;欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 费迪南·斯考兹;彼得·布克纳;弗兰克·哈伯尔;马提亚·彼得;克劳斯·柯勒 |
| 分类号 | C30B29/40(2006.01);H01L21/205(2006.01);C30B25/02(2006.01) | 主分类号 | C30B29/40(2006.01) |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 郑小粤 |
| 主权项 | 1.一种用于生成厚III-N层的外延生长方法，其中，III指元素周期表第III族元素中的至少一种元素，其中，厚度大于等于40微米的厚III-N层被沉积在取向差在0.1°和0.2°之间的异质衬底上。 | ||
| 地址 | 德国弗赖贝格 | ||