| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种COMS图像传感器及其制造方法，其中，在形成微透镜的同时形成焊盘开口。该COMS图像传感器包括沉积在氧化物层上、用于钝化的氮化物层，其中，从在氮化物层上形成的牺牲微透镜层形成具有微透镜结构的牺牲微透镜，并且其中，在形牺牲微透镜之后，氮化物层被转移蚀刻，使氮化物层具有牺牲微透镜的微透镜结构。 | ||
| 申请公布号 | CN100416846C | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200510097117.7 | 申请日期 | 2005.12.30 |
| 申请人 | 东部亚南半导体株式会社 | 发明人 | 韩昌勋 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H01L21/82(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 余刚 |
| 主权项 | 1. 一种COMS图像传感器，包括：用于钝化的氮化物层，沉积在氧化物层上；其中，从在所述氮化物层上形成的牺牲微透镜层形成具有微透镜结构的牺牲微透镜，并且其中，在形成所述牺牲微透镜之后，所述氮化物层被转移蚀刻，以使所述氮化物层具有所述牺牲微透镜的微透镜结构，在形成所述微透镜结构的同时形成焊盘开口。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||