半导体装置、全波整流电路和半波整流电路

摘要

本发明提供一种能够在二极管中流有正向电流时，防止向半导体基板泄漏浪费的电流的半导体装置。在P型半导体基板(31)的表面上形成有N型阱区域(32)，在N型阱区域(32)中，再形成有P型阱区域(33)。在P型阱区域(33)外的N型阱区域(32)的表面上形成有N+型扩散层(34)。在P型阱区域(33)的表面上，形成有P+型扩散层(35)和N+型扩散层(36)。利用由铝等构成的配线(37)，电连接形成在N型阱区域(32)的表面上的N+型扩散层(34)、和形成在P型阱区域(33)的表面上的P+型扩散层(35)，该配线(37)上连接着阳极电极(38)。N+型扩散层(36)上连接着阴极电极(39)。

主权项

1. 一种半导体装置，其特征在于，具有：第1导电型的半导体基板；形成在上述半导体基板的表面上的第2导电型的第1阱区域；形成在上述第1阱区域中的第1导电型的第2阱区域；形成在上述第2阱区域之外的上述第1阱区域的表面上的第2导电型的第1扩散层；形成在上述第2阱区域的表面上的第1导电型的第2扩散层；以及，形成在上述第2阱区域的表面上的第2导电型的第3扩散层，电连接上述第1扩散层和上述第2扩散层。