| 发明名称 | 具有静电放电保护电路的半导体电路的保护装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于半导体电路的ESD保护装置，其具有被连接于基板接触(SK1)及地电位连接(VSS)间且电连接至该基板接触(SK1)的至少一ESD保护组件(SD1至SD4；RS)。该ESD保护组件为ESD保护二极管(SD1至SD4)或ESD保护晶体管(ST1，ST2)形式。亦可在该基板接触(SK1)及该地电位连接(VSS)之间连接电阻器(RS)或ESD保护晶体管(ST1)以作为ESD保护组件，并另外在基板接触(SK1)及供给电压电位连接(VDD)间连接ESD保护二极管(SD2)或ESD保护晶体管(ST2)。 | ||
| 申请公布号 | CN100416830C | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200510009038.6 | 申请日期 | 2005.02.16 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | U·格拉塞;H·戈斯纳;J·施奈德;M·斯特雷布;S·巴格斯塔德特－弗兰克 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L23/60(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张雪梅;张志醒 |
| 主权项 | 1. 一种用于半导体电路中的静电放电保护装置，该半导体电路具有一个第一掺杂区域(SK；SK1；GS；GR)及至少两个第二掺杂区域(W1，W2)，该第一掺杂区域(SK；SK1；GS；GR)电连接至地电位连接(VSS)，而该至少两个第二掺杂区域(W1，W2)的其中之一被电连接至一第一供给电压电位连接，该至少两个第二掺杂区域中的另外一个被电连接至一第二供给电压电位连接，其特征在于一静电放电保护电路(ESD_SS)乃连接于该第一掺杂区域(SK；SK1；GS；GR)及该地电位连接(VSS)间。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||