可避免锁死现象的静电放电装置

摘要

本发明是有关于一种可避免锁死现象的静电放电装置，当一电源电压未供应至该静电放电装置时，其具有等效硅控整流器(SCR)结构；当该电源电压供应至该静电放电装置时，其具有等效PN二极管结构，因此可以避免静电放电装置的锁死现象。

主权项

1. 一种可避免锁死的静电放电装置，其特征在于其包括：一P型基板；一N型阱，形成于该P型基板中；一第一N+型掺杂区，形成于该N型阱中；一第一P+型掺杂区，形成于该N型阱中；一第二N+型掺杂区，形成于该N型阱中，并位于该第一P+型掺杂区与一第一场氧化层之间，该第一场氧化层位于该N型阱的边缘上；一第三N+型掺杂区，形成于该P型基板中以及该N型阱外，其中该第三N+型掺杂区与该N型阱不相接触；一第二P+型掺杂区，形成于该P型基板中以及该N型阱外，其中该第二P+型掺杂区与该N型阱不相接触；一第一电极，其经由一第一电性导体连接该第二P+型掺杂区与该第三N+型掺杂区；一第二电极，其经由一第二电性导体连接该第一N+型掺杂区与该第一P+型掺杂区；以及一第三P+型掺杂区，形成于该P型基板中以及该N型阱外，其中该第三P+型掺杂区是以该第一场氧化层与该第二N+型掺杂区隔开，其中当该静电放电装置于未供应电源状态下，该第三P+型掺杂区是为浮接状态，当该静电放电装置于电源供应状态下，该第三P+型掺杂区是连接至一最低电位。