发明名称 |
用于制造微机电器件的方法和由该方法获得的微机电器件 |
摘要 |
本发明涉及一种制造微机电器件(10)的方法,在该方法中,在衬底(1)上依序地沉积其中形成第一电极(2A)的第一导电层(2)、由第一材料构成的第一电绝缘层(3)、由不同于第一材料的第二材料构成的第二电绝缘层(4)、以及其中形成与第一电极相对的第二电极(5A)的第二导电层(5),第二电极(5A)与第一电极(2A)以及第一绝缘层(3)一起形成器件(10),其中在沉积第二导电层(5)之后,借助于相对于第二导电层(5)的材料具有选择性的蚀刻剂除去第二绝缘层(4)。根据本发明,对于第一材料和第二材料,选择相对于彼此仅有有限的选择蚀刻性的材料;且在沉积第二绝缘层(4)之前,在第一绝缘层(3)的顶部上提供由另一材料构成的另一层(6),该另一材料相对于第一材料可被选择蚀刻。这样,将氧化硅和氮化硅用于绝缘层(3、4),且因此根据本发明的方法与当前的IC工艺非常兼容。优选地,通过蚀刻局部地除去第二绝缘层(4),然后通过蚀刻完全除去另一层(6),且最后通过蚀刻完全除去第二绝缘层(4)。 |
申请公布号 |
CN100415635C |
申请公布日期 |
2008.09.03 |
申请号 |
CN200380102053.4 |
申请日期 |
2003.10.17 |
申请人 |
NXP股份有限公司 |
发明人 |
J·T·M·范比克;M·范格鲁特 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01) |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
王波波 |
主权项 |
1. 一种制造微机电器件(10)的方法,包括:在衬底(1)上沉积其中形成第一电极(2A)的第一导电层(2),在所述第一导电层(2)上沉积由第一材料构成的第一电绝缘层(3),沉积相对于所述第一材料可以被选择性蚀刻的另一材料的另一层(6),在所述另一层(6)上沉积由不同于第一材料的第二材料构成的第二电绝缘层(4),以及在所述第二电绝缘层(4)上沉积第二导电层(5),其中形成位于与第一电极相对的第二电极(5A),所述第二导电层(5)与第一电极(2A)和第一绝缘层(3)一起形成器件(10),其中在沉积所述第二导电层(5)之后,除去所述另一层(6),从而暴露所述第二绝缘层(4)的一个底面区域,借助于相对于所述第二导电层(5)的材料具有选择性的蚀刻剂来接着除去所述第二绝缘层(4),其中对于第一材料和第二材料,选择相对于彼此仅能被有限地选择性蚀刻的材料。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |