| 发明名称 | 纳米硅材料侧壁结构复位闪存及其制作、使用方法 | ||
| 摘要 | 一种纳米硅材料侧壁结构复位闪存，包括，衬底、位于衬底上的控制栅，控制栅两侧各有一个侧壁，所述的侧壁上有纳米硅层，所述的纳米硅层由二氧化硅、纳米硅和二氧化硅依次叠加而成。本发明所提供的闪存单元面积具有微细化可能性。 | ||
| 申请公布号 | CN101257027A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200810035117.8 | 申请日期 | 2008.03.25 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 张博 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/49(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);G11C16/10(2006.01);G11C16/26(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人 | 屈蘅 |
| 主权项 | 1、一种纳米硅材料侧壁结构复位闪存，包括，衬底、位于衬底上的控制栅，控制栅两侧各有一个侧壁，其特征在于，所述的侧壁上有纳米硅层。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 | ||