| 发明名称 | 半导体层 | ||
| 摘要 | 本发明提供发光元件及半导体基板的制作方法。该发光元件包含：β－Ga<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>基板、在所述β－Ga<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>基板上形成的GaN系半导体层、以及在所述GaN系半导体上形成的双异型发光层。该半导体基板的制作方法包含：在β－Ga<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>基板上形成GaN系半导体层的步骤；在所述GaN系半导体层上形成GaN系外延层的步骤；以及从所述GaN系外延层削除所述β－Ga<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>基板和所述GaN系半导体层，制作所述GaN系外延层的基板的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101257079A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200810089385.8 | 申请日期 | 2004.08.04 |
| 申请人 | 株式会社光波 | 发明人 | 一之濑升;岛村清史;青木和夫;恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 蒋亭;苗堃 |
| 主权项 | 1.发光元件，其特征在于包含：β-Ga2O3基板、在所述β-Ga2O3基板上形成的GaN系半导体层、以及在所述GaN系半导体上形成的双异型发光层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||