| 发明名称 | 一种三维结构PZT电容及其MOCVD制备方法 | ||
| 摘要 | 三维结构PZT电容及其MOCVD制备方法属于金属氧化物薄膜电容制备技术，其特征在于，所述PZT薄膜是由Pb<SUB>0.5</SUB>(Zr<SUB>1－x</SUB>Ti<SUB>x</SUB>)<SUB>0.5</SUB>O<SUB>3</SUB>薄膜制成的，其中X＝0.4，Pb为27％，Zr为55％，Ti为18％，由所述PZT薄膜作为介质层形成的三维结构PZT电容，其形态致密，均匀性大于95％，厚度为1500埃，相应的提出了制备时所用的DLI－MOCVD方法，以及各阶段控制参数和系统参数。 | ||
| 申请公布号 | CN101257016A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200810103810.4 | 申请日期 | 2008.04.11 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 阮勇;任天令;谢丹;刘理天;杨景铭 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01G4/33(2006.01);H01G4/08(2006.01) | 主分类号 | H01L27/00(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 1.一种三维结构PZT电容，其特征在于，该PZT电容在纵截面上从下到上依次含有：中间部位凹下的三维结构硅支撑衬底，使用感应耦合等离子体ICP刻蚀形成，下电极，由至少包括Ir、Pt/Ti、Ru、Cu、金红石型结构氧化物、钙钛矿型结构氧化物在内的材料溅射或蒸发形成，PZT薄膜介质结构，用直接液体输运式MOCVD(DLI-MOCVD)形成，其中，Pb为27％，Zr为55％，Ti为18％，上电极，由至少包括Ir、Pt/Ti、Ru、Cu、金红石型结构氧化物、钙钛矿型结构氧化物在内的材料溅射或蒸发形成。 | ||
| 地址 | 100084北京市100084－82信箱 | ||