液晶显示装置及其制造方法

摘要

以往的删减制造工序数量的制造方法有制造容限小且生产量低的技术课题。其解决手段是根据组合通过半色调曝光技术的导入而使半导体层的岛化工序与对闸极绝缘层的开口部分形成工序予以合理化的新技术，和以将半色调曝光技术导入至属于公知技术的源极/漏极配线的阳极氧化工序中，使电极端子的保护层形成工序予以合理化的新技术，和属于公知技术的同时形成像素电极和扫描线的合理化技术等，构筑TN型液晶显示装置和IPS型液晶显示装置的4道光罩制程方案和3道光罩制程方案。

主权项

1. 一种底部闸极型的绝缘栅型晶体管，其特征为：在绝缘基板上形成有由一层以上的第一金属层所构成的闸极电极，在闸极电极上间隔着一层以上的闸极绝缘层而形成岛状且不含杂质的第一半导体层，在所述第一半导体层上形成有一部分与闸极电极重叠而将成为绝缘栅型晶体管的源极/漏极的含有杂质的第二半导体层，在所述第二半导体层上和闸极绝缘层上形成含有耐热金属层且由一层以上的可阳极氧化的金属层所构成的源极/漏极配线，并且除源极配线的电气性连接区域之外，在源极、漏极配线上和通道上形成有阳极氧化层。