| 发明名称 | 薄膜形成基板及其薄膜形成装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜形成基板及其薄膜形成装置，该薄膜形成基板为达到液晶显示装置的透明电极等可使用程度的、将电阻率减少的ZnO薄膜的形成基板。形成如下的ZnO薄膜的形成基板及其薄膜形成装置，将作为成膜材料的Zn材料蒸发，将蒸发的Zn材料用微波氧等离子体氧化，将ZnO化合物在基板上堆积形成薄膜，进一步，将形成薄膜的ZnO薄膜曝于微波氢等离子体中，减少电阻率、赋予导电性。 | ||
| 申请公布号 | CN101255543A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200710079688.7 | 申请日期 | 2007.03.02 |
| 申请人 | 微电子株式会社 | 发明人 | 泷泽力;中山贵道;柏木邦宏;坂本雄一 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01);C23C14/24(2006.01);C23C14/58(2006.01) | 主分类号 | C23C14/08(2006.01) |
| 代理机构 | 北京三幸商标专利事务所 | 代理人 | 刘激扬 |
| 主权项 | 1. 一种薄膜形成基板，其特征在于该薄膜形成基板结构如下：将在基板上堆积了ZnO化合物的透明薄膜形成基板曝于氢等离子体中，使透明薄膜的电阻率减小，使导电性薄膜改性。 | ||
| 地址 | 日本国埼玉县 | ||