| 发明名称 | 氮化物半导体激光器元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体激光器元件，其具有包含第一氮化物半导体层、活性层、第二氮化物半导体层的氮化物半导体层、和与该氮化物半导体层的共振器面接触的第一保护膜，其中，至少与共振器面的活性层接触的第一保护膜是具有比上述第一保护膜的最大膜厚薄的区域的氮化物半导体层激光器元件。 | ||
| 申请公布号 | CN101257186A | 申请公布日期 | 2008.09.03 |
| 申请号 | CN200810080896.3 | 申请日期 | 2008.02.26 |
| 申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 道上敦生;森住知典;高桥祐且 |
| 分类号 | H01S5/00(2006.01);H01S5/10(2006.01);H01S5/22(2006.01);H01S5/30(2006.01) | 主分类号 | H01S5/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李贵亮 |
| 主权项 | 1、一种氮化物半导体激光器元件，其具有：包含第一氮化物半导体层、活性层、第二氮化物半导体层的氮化物半导体层、和与该氮化物半导体层的共振器面接触的第一保护膜氮化物半导体激光器元件，其中，至少与共振器面的活性层接触的第一保护膜具有比所述第一保护膜的最大膜厚薄的区域。 | ||
| 地址 | 日本德岛县 | ||